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Revista de Matemática Teoría y Aplicaciones
versão impressa ISSN 1409-2433
Resumo
SALAS, Oscar et al. Paralelización del modelo híbrido clásico-cuántico para un dispositivo semiconductor Mosfet nanométrico. Rev. Mat [online]. 2011, vol.18, n.2, pp.231-248. ISSN 1409-2433.
El transformar un software secuencial en uno paralelo, es costoso y difícil, lo cual constituye solo dos de los muchos obstáculos técnicos y económicos que se tienen que enfrentar cuando se desea hacer uso de sistemas HPC. En este trabajo investigamos la posibilidad de mejorar de forma rápida y eficiente el desempeño de un código numérico secuencial que se encarga de realizar la simulación del comportamiento y transporte de un flujo de electrones en un dispositivo semiconductor MOSFET doble puerta y de escala nanométrico. Se introduce el modelo Drift-Diffusion-Schrödinger-Poisson (DDSP) y se estudia una estrategia de paralelización rápida del procedimiento numérico, óptimo específicamente para arquitecturas a memoria compartida.
Palavras-chave : Paralelezación; Paradigma de Memoria Compartida; Ecuación de Schrödinger; Sistemas Drift-Difusion; Modelo Subband; Nanotubos.